随着新一代IGBT芯片及功率密度的进一步提高，对功率电子模块及其封装工艺要求也越来越高，特别是芯片与基板的互连技术很大程度上决定了功率模块的寿命和可靠性。
烧结银技术的优势与特点
1.什么是烧结银技术
20世纪80年代末期，Scheuermann等研究了一种低温烧结技术，即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。
银烧结是一种经过验证的芯片粘接技术，可确保无空隙和高强度键合，并具有高导热性和导电性。 这种有压烧结银AS9385技术良品率高，十分可靠。
SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术（Low temperature joining technique,LTJT），作为一种新型无铅化芯片互连技术，AS9385烧结银可在低温（＜250℃）条件下获得耐高温（＞700℃）和高导热率（~240 W/m·K）的烧结银芯片连接界面，具有以下几方面优势：
③AS9385所用纳米银材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度；④烧结材料不含铅，属于环境友好型材料，并且避免清洗的过程，节省了时间，降低了成本。
烧结得到的连接层为多孔性结构，孔洞尺寸在微米及亚微米级别，连接层具有良好的导热和导电性能，热匹配性能良好。
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