划片刀又称金刚石划片刀，包含三个主要元素：金刚石颗粒的大小、密度和粘结材料。 金刚石颗粒在晶圆的切割过程中起着研磨剂的作用，通常是由CBN (Cubic Boron Nitride)合成而来。 金刚石颗粒尺寸从２um到8um之间变化。 为达到更好的切割质量，通常选用带棱角的金刚石颗粒。 金刚石颗粒的密度代表着金刚石颗粒占金刚石刀片的体积比。
半导体晶圆切割用划片刀头在切割时，线速度是一个非常重要的参数，可以直接影响到切割效率和切割质量。 以下是关于金刚石刀头切割过程中线速度的介绍： 线速度是指切割线每分钟旋转的圈数，单位为m/min。 线速度过快，金刚石颗粒就会被削短，使刀头变钝，而且金刚石颗粒很容易掉落，影响切割质量。 线速度过慢，刀头会过度磨损，切割效率低下。 金刚石刀头切割时，应根据不同的材料选择合适的线速度。
划片刀的选择一般来说要兼顾切割质量、切割刀片寿命和生产成本。金刚石颗粒尺寸影响划片刀的寿命和切割质量。较大的金刚石颗粒度可以在相同的刀具转速下，磨去更多的硅材料，因而刀具的寿命可以得到延长。然而，它会降低切割质量（尤其是正面崩角和金属／ILD得分层）。所以，对金刚石颗粒大小的选择要兼顾切割质量和制造成本。
金刚石颗粒的密度对切割质量的控制也十分关键。对于相同的金刚石颗粒大小但具有不同密度的刀片，划片刀每一个旋转周期移去的硅材料是相同的，但是，平均到每一个金刚石颗粒移去的硅材料的量是不同的。
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高密度的金刚石颗粒可以延长划片刀的寿命，同时也可以减少晶圆背面崩角。而低密度的金刚石颗粒可以减少正面崩角。硬的粘结材料可以更好地“固定”金刚石颗粒，因而可以提高划片刀的寿命，而软的粘结材料能够加速金刚石颗粒的“自我锋利”（Self Sharpening）效应，令金刚石颗粒保持尖锐的棱角形状，因而可以减小晶圆的正面崩角或分层，但代价是划片刀寿命的缩短。刀锋的长度应根据晶圆的厚度，承载薄膜的厚度，大允许的崩角的尺寸来进行定义，刀锋不能选得过长，因为长的刀锋会在切割时引起刀片的摆动，会导致较大的崩角。
划片机一般提供两种切割模式，单刀切割（Single Cut）和台阶式切割（Step Cut），实验证明，划片刀的设计不可能同时满足正面崩角、分层及背面崩角的质量控制的要求。这个结论对于晶圆厚度大于7 mil的低k晶圆尤为适用。为了减小正面金属层与ILD层的分层，薄划片刀会被采用，若晶圆较厚，则需选取刀锋较长的刀片。但须注意，具有较高刀锋／刀宽比的划片刀在切割时会产生摆动，反而会造成较大的正面分层及背面崩角。
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因为硅材料的脆性，机械切割方式会对晶圆的正面和背面产生机械应力，结果在芯片的边缘产生正面崩角（FSC- Front Side Chipping）及背面崩角（BSC – Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角会降低芯片的机械强度，初始的芯片边缘裂隙在后续的封装工艺中或在产品的使用中会进一步扩散，从而可能引起芯片断裂，导致电性失效。另外，如果崩角进入了用于保护芯片内部电路、防止划片损伤的密封环（Seal Ring）内部时，芯片的电气性能和可靠性都会受到影响。
封装工艺设计规则限定崩角不能进入芯片边缘的密封圈。
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