SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不60V，高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。
肖特基二极管，一种与传统PN结二极管不同的电子元件，借助金属和半导体之间的势垒效应产生整流效果。在电子学中，这种接触被称为“金属半导体结”，简称肖特基势垒二极管，通常被称为肖特基二极管。主要采用硅（Si）半导体材料制造，也有少量使用砷化镓（GaAs）制作的。
开关电源有高频变压器、高频电容、高反压大功率晶体管、功率整流二极管、控制IC等主要部件组成。次级整流二极管作为耗能部件，损耗大，（约占电源功耗的30%），发热高，它的选用对电源的整机效率和可靠性指标是非常关键的因素，这就要求整流二极管在高速大电流工作状态下应具有正向压降VF小、反向反向漏电IR小、恢复时间Trr短的特性。
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