大功率LED不可归类到贴片系列，它们功率及电流使用皆不相同，且光电参数相差甚巨。单颗大功率LED光源如未加散热底座（一般为六角形铝质座），它的外观与普通贴片无太大差距，大功率LED光源呈圆形，封装方式基本与SMD贴片相同，但与SMD贴片在使用条件/环境/效果等都有着本质上的区别。
电压：LED灯珠使用低压电源，供电电压在 2-4V之间，根据产品不同而异，所以驱动它的是一个比高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所； 电流：工作电流在0—15mA，亮度随电流的增大而变亮 效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少 80%。
亮度 LED灯珠的亮度不同，价格不同。 灯珠：一般亮度为60-70 lm；球泡灯：一般亮度为80-90 lm。 1W红光，亮度一般为30-40 lm；1W绿光，亮度一般为60-80 lm；1W黄光，亮度一般为30-50 lm；1W蓝光，亮度一般为20-30 lm。 注：1W亮度为60-110lm；3W亮度高可达240lm；5W-300W是集成芯片，用串/并联封装，主要看多少电流，电压，几串几并。 LED透镜：一次透镜一般用PMMA、PC、光学玻璃、硅胶（软硅胶，硬硅胶）等材料。角度越大出光效率越高，用小角度的LED透镜，光线要射得远的。
半导体发光二极管和半导体激光器类似，也是一个PN结，也是利用外电源向PN结注入电子来发光的。半导体发光二极管记作LED，是由P型半导体形成的P层和N型半导体形成的N层，以及中间的由双异质结构成的有源层组成。有源层是发光区，其厚度为0.1～0.2μm左右。
半导体发光二极管的结构简单，体积小，工作电流小，使用方便，成本低，所以在光电系统中的应用极为普遍。在正向偏置下，半导体PN结或与其类似的结构能够发出可见光或近红外光，这种把电能直接转换为光能的器件称为发光二极管，简称LED。
发光是物体内部以某种方式储存的能量转化为光辐射的过程。发光物体的光辐射是材料中受激发的电子跃迁到基态时产生的。半导体（主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素构成的化合物半导体）发光二极管属于电流激发的电致发光器件。
电致发光现象发现于1923年，当时并没有引起人们的注意。随着近代技术的发展，对发光器件提出了新的要求，希望发光管简单、可靠、寿命长、价格低、小型化。所以自60年代开始电致发光的研究非常活跃。
此式称为玻尔条件。式中h=6.626×10-34J·s。当发光二极管工作时，在正偏下，通常半导体的空导带被通过结向其中注入的电子所占据，这些电子与价带上的空穴复合，放射出光子，这就产生了光。发射的光子能量近似为特定半导体的导带与价带之间的带隙能量。这种自然发射过程叫作自发辐射复合（图1）。显然，辐射跃迁是复合发光的基础。注入电子的复合也可能是不发光的，即非辐射复合。在非辐射复合的情况下，导带电子失去的能量可以变成多个声子，使晶体发热，这种过程称为多声子跃迁；也可以和价带空穴复合，把能量交给导带中的另一个电子，使其处于高能态，再通过热平衡过程把多余的能量交给晶格，这种过程称为俄歇复合。随着电子浓度的提高，这种过程将变得更加重要。带间跃迁时，辐射复合和非辐射复合的两种过程相互竞争。有的发光材料表现为辐射复合占优势。
①提高内量子效率,要求尽量减少晶体缺陷和有害杂质；②提高外量子效率，结构要便于光收集、提取和发射；③可以用携载信息的输出电流直接对光输出进行高速率的调制；④结构要有利于散热，减少因结温上升引起光功率下降；⑤要有高的辐射度，因此应用直接带隙半导体和能够在高电流密度下驱动的结构。
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