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电子回收
集成电路的技术水平和发展规模是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一，芯片的研发与生产能力，也是衡量一个国家创新实力的重要指标。
芯片制造，要将沙子，经过筛选和熔炼，能够冶炼出高纯度的硅（Si），制作成硅锭，然后将硅锭切割成薄片，也就是晶圆（Wafer）开始，到后测试、切割、封装，就成为了我们平时能够看到的CPU芯片。整个制作流程，将近5000道工序，把数亿个晶体管，在一片只有指甲盖大小的硅晶片上制造出来，还要进行复杂的逻辑设计，难度不亚于把全国的路网，规划到这一点点的空间里面。
据世界半导体贸易统计组织(WSTS)数据显示，2018年半导体总销量预计可达4510亿美元(约2.86万亿元)，同期增长9.5%。中国是全世界大的半导体消费国，占芯片需求量的超50%。
很多电子产品中，电容器都是的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。下文给读者介绍下电容器的检测，可供读者选择时用。
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电解电容器的检测
A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。
B 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。
C 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
D 使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。
