在成型技术也相当困难，由于电镀银是局部镀银，相较于全镀，部分镀银技术很难，做模具，且放置芯片处用局部银，一个导线架搭两个芯片，芯片局部银，其他引线框架用镍钯金，材料差异对引线框架制作是很大的技术挑战。
单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”，省了芯片与lead frame之间的焊料，优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例，基于GVF预烧结银焊片，相比当前焊接版的TO247-3/4L，可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c)，和约45%的瞬态热阻。
善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘，为客户带来多重便利，包括无需印刷、点胶或干燥，GVF预烧结银焊片工艺（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起，同时具有较高的灵活性，可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性，以及芯片连接的可靠性，并对整个模块的性能进行优化，还能帮助客户提高生产率，降低芯片的破损率，加速新一代电力电子模块的上市时间。
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍，并确保芯片的载流容量提高50%以上。
SHAREX的预烧结银焊片GVF9800（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）是结合了烧结银，铜箔和其他材料的一种复合材料，由以下四个部分组成：具有键合功能的铜箔；预涂布AS9385系列烧结银；烧结前可选用临时固定的胶粘剂；保护膜或者承载物。
