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设计与仿真编辑在直拉法生长硅单晶的过程中，硅单晶生长的成功与否以及质量的高低是由热场的温度分布决定的。温度分布合适的热场，不仅硅单晶生长顺利,而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理，生长硅单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资硅单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场,从而保生产出来的硅单晶的品质。在直拉硅单晶生长工艺中,一般采用温度梯度来描述热场的温度分布情况，其中在固液界面处的温度梯度为关键。数值模拟是在一个低成本的情况下,利用电脑计算提供的详尽资料，用以支持真正的（且昂贵）实验。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，本发明的直拉式单晶生长炉中，经 输入管输入的气压为0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量为30L/min。 该流量不但不影响该炉中单晶的生长，平均每个直拉式单晶生长炉每 天可少消耗1440L，有效降低了生产成本，且利于在硅单晶生长过程 中单晶分子排列结构的整齐性，还利于提高电阻率的均布性。(2)本发明 的直拉式单晶生长炉中，碗形的气流导向装置设于坩埚支持器下方和炉底部的排气口之间，且气流导向装置的中轴孔及一对电极孔分别与该炉的石 墨中轴及一对电极孔配合设置，有效地减小了炉内空间，便于迅速及时地 将炉内的一氧化硅与的混合气体排出，且利于减少热能和的消耗量，使原有的引晶功率从65KW减到61KW;另外，由于该炉的排气口与气流 导向装置的各通气孔相连通，
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真空技术在冶金、化工、轻工、食品、医药等领域得到了十分广泛的应用，然而在这些领域大都存在尘埃对真空系统的危害问题。为保护真空系统或真空泵不受粉尘和固体颗粒污染和损坏，管路中需配置真空除尘器和真空过滤器。它们可保护真空阀门不被阻塞，避免阀板关闭不严造成漏气，保护测量压力的真空规管不受污损，防止泵受损而工作失常等，对真空设备的净化和平稳、持续工作均很重要。除尘机理及过程从气体中捕集分离粒子的除尘机理，主要有以下几个方面:、重力气流中的尘粒可以依靠重力自然沉降，从气流中进行分离。由于尘粒的沉降速度一般较小，这个机理只适用于粗大的尘粒、离心力利用机械力来捕集分离含尘气流中的粉尘，离心力除尘装置是其中有效的除尘装置。它对粒径较小尘粒的分离捕集非常有效。含尘气流作圆周运动时，
