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有压烧结银是一种常见的半导体封装材料,压烧结银的工艺非常复杂,需要考虑到不同的因素,如热量、熔融银的温度、模具的造型等。这种工艺需要熟练的技艺,可以制作出精美的饰品。有压烧结银AS9385工艺流程: 清洁粘结界面;界面表面能太低,建议增加界面表面能;粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽预压阶段:150度加压0.5-1MPa,时间为:1-3秒; 本压阶段:220-280度加压10-30MPa,时间2-6分钟;烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
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