快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。
快恢复二极管是由正向导通栏区和反向击穿栏区组成的双重 PN 结构。其工作原理主要可以概括为在正向偏置下，PN 结进入导通状态；在反向偏置下，PN 结处于截止状态。而在开关过程中，如果仅对快速的电压反转产生响应，就需要使快恢复二极管处于反向偏置，在这个过程中，快恢复二极管会从截止状态变成导通状态，从而完成反向电流的捕获，并且产生一个瞬态开放电容结构的载体与绝缘体之间的电荷，然后通过晶体管将这种载体导出，继续增强元器件的恢复速度。因此，快恢复二极管具有快速导通和快速恢复的特点。
高压整流二极管就是将高压交流整流成为直流的器件，根据交流频率可以分为普通的低频整流桥和高频的快恢复二极管，目前市场上普通的整流桥分为单相和三相整流桥，高电压以1600V为主，高频快恢复二极管一般分为单管，共阴或者共阳的双管，高电压以1200V为主。
