在这种烧结过程中,在适当的压力、温度和时间条件下,经过持续加热,有压烧结银AS9385由粉末形态变为固体结构。与传统焊接材料相比,这种技术产生的烧结键更可靠,能够提高器件的性能和寿命。
SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术(Low temperature joining technique,LTJT),作为一种新型无铅化芯片互连技术,AS9385烧结银可在低温(<250℃)条件下获得耐高温(>700℃)和高导热率(~240 W/m·K)的烧结银芯片连接界面,具有以下几方面优势:
①烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能;②由于银的熔点高达(961℃),将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性;
③AS9385所用纳米银材料具有和传统软钎焊料相近的烧结温度;④烧结材料不含铅,属于环境友好型材料,并且避免清洗的过程,节省了时间,降低了成本。
芯片转印是指将芯片在银膜上压一下,利用芯片锐利的边缘,在银膜上切出一个相同面积的银膜并粘连到芯片背面。
以AS9385有压烧结银膏为例,在烧结过程中,银颗粒通过接触形成烧结颈,银原子通过扩散迁移到烧结颈区域,从而烧结颈不断长大,相邻银颗粒之间的距离逐渐缩小,形成连续的孔隙网络,随着烧结过程的进行,孔洞逐渐变小,烧结密度和强度显著增加,在烧结后阶段,多数孔洞被完全分割,小孔洞逐渐消失,大空洞逐渐变小,直到达到终的致密度。