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半导体级直拉法的工艺控制\进入21世纪以来,随着新兴产业的科技创新,半导体行业得到了的发展。半导体产业发展迅猛,尤其近几年,大力发展半导体产业,缩短该行业与世界水平的差距。目前虽然有许多新兴材料来替代硅材料,但未来几年可以预见,硅材料由于其成熟的技术品质和稳定的物理化学性质,将会在相当长的一段时间里是主流材料。硅单晶作为主要材料,应用的领域也是相当广泛的。硅单晶是由多晶硅原料经过物理变化,让硅原子按照人为设定的方向进行生长,终形成的。一般会采用直拉法进行制备。晶圆的直径越大,集成电路制造的成本将会越低,因此要求作为材料的硅单晶的直径也要相应的增大。这里面涉及到了一系列问题。这篇论文主要讨论的是通过对热场的设计,工艺的过程控制,减少位错的产生,以及通过化学腐蚀对位错进行检测的相关问题。 
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提拉式单晶炉特点籽晶提拉及旋转部件:实现了籽晶轴较高转速时的系统平稳性；籽晶轴旋转及提拉密封均采用的磁流体密封组件，无泄露，长期使用不需充磁；精密花键轴及各驱动直流伺服电机均为进口件，确保系统具有很高的可靠性。提拉头经过严格的静平衡和动平衡测试，高速旋转下籽晶晃动小于2mm，适应半导体工艺需求。坩埚升降及旋转部件:使用超大铸铁立柱、双滚动直线导航、精密滚珠丝杠以及进口等功能件组合设计，确保坩埚系统在超重低速工况下长期平稳运行。浮动式翻板阀设在主副炉室之间，可在热场维持工艺温度的情况下，取出晶体，更换籽晶和补充加料进行连续拉晶。
