众所周知，晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，是由硅晶棒在经过研磨、抛光、及切片后，形成的硅晶圆片。然而，在实际导片过程中，难免会存在一些边缘损伤，因此，目前企业所使用的导片机中，取料装置将晶圆从取料台中取下后放置在边缘时校准器中，在对晶圆表面检测的同时，也需要进行边缘校准，校准完毕后再由取料装置将晶圆从寻边器中取下后送至取料台中并记录位置。
边缘式校准器包括设置在校准区内的校准座、定位单元、及校准单元，其中定位单元包括能够上下升降的定位组件和能够沿着晶圆径向同时收拢或张开的夹持组件，其中定位组件形成有自上而下口径逐渐变小的晶圆定位区；夹持组件包括绕着晶圆定位区的中心分布的多根夹臂、用于驱动多根夹臂同步运动的驱动件，其中每根夹臂上形成有与晶圆边缘点或线接触的夹槽；校准单元包括能够对晶圆的边缘进行校准的校准组件、以及驱动组件。
由于激光在聚焦上的优点，聚焦点可小到亚微米数量级，从而对晶圆的微处理更具有优势，可以进行小部件的加工。即使在不高的脉冲能量水平下，也能得到较高的能量密度，有效进行材料加工。激光划片属于非接触式加工，可以避免出现芯片破碎和其它损坏现象。
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达99.999999999%。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
因为制作工艺决定了它是圆形的。因为提纯过后的高纯度多晶硅是在一个子晶(seed)上旋转生长出来的。多晶硅被融化后放入一个坩埚(Quartz Crucible)中，再将子晶放入坩埚中匀速转动并且向上提拉，则熔融的硅会沿着子晶向长成一个圆柱体的硅锭(ingot)。这种方法就是现在一直在用的 CZ 法(Czochralski)，也叫单晶直拉法。
