当输入功率从10mW变化到额定功率时，衰减量的变化系数表示为dB/（dB*W）。衰减量的变化值的具体算法是将系数乘以总衰减量功率（W）。如：一个功率容量50W，标称衰减量为40dB的衰减器的功率系数为0.001dB/（dB*W），意味着输入功率从10mW加到50W时，其衰减量会变化0.001*40*50=2dB之多！
当两段光纤进行连接时，达到相当高的对中精度，才能使光信号以较小的损耗传输过去。反过来，如果将光纤的对中精度做适当的调整，就可以控制其衰减量。位移型光衰减器就是根据这个原理，有意让光纤在对接时，发生一定的错位。使光能量损失一些，从而达到控制衰减量的目的，位移型光衰减器又分为两种：横向位移型光衰减器、轴向位移型光衰减器。横向位移型光衰减器是一种比较传统的方法，由于横向位移参数的数量级均在微米级，所以一般不用来制作可变衰减器，仅用于固定衰减器的制作中，并采用熔接或粘接法，到目前仍有较大的市场，其优点在于回波损耗高，一般都大于60dB。轴向位移型光衰减器在工艺设计上只要用机械的方法将两根光纤拉开一定距离进行对中，就可实现衰减的目的。这种原理主要用于固定光衰减器和一些小型可变光衰减器的制作。
NAIGQ同轴衰减器可能是一种特定品牌或型号的同轴衰减器，但由于“NAIGQ”并非一个广为人知的品牌名（在提供的参考信息中未提及此品牌），因此我将基于同轴衰减器的一般特性和参数来介绍它可能具备的特点。
同轴衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件，主要用于减少射频（RF）信号传输系统中的信号功率水平。这种装置对于通信系统、雷达、测试测量以及其他RF应用至关重要。其基本构造通常包括连接器、衰减芯片和散热器等部分，其中衰减芯片是核心组件，负责将部分信号能量转化为热能，从而实现信号强度的降低。
