综上所述，富士IGBT模块以其、高可靠性和多样化的产品系列，满足了广泛的应用需求，是电力电子领域中的重要组件。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
总之，富士IGBT功率模块具有高可靠性，高转换效率，低噪声和低浪涌的特性，同时还可以提供，率的控制，可以满足多种应用场合的要求，是电气和工业控制应用的理想选择。
