国内对GaN材料的研究开展得较晚，跟国际上的高水平相比有着较大的差距,但近年来也取得了显著的进展，目前蓝光发光二极管已有实验室样品，并且正在走向产业化。绿光、紫光二极管也已制出样管。白光二极管的制造技术也将一步步走向成熟。
氮化镓（化学式GaN）被称为“半导体材料”，可用于制造用途广泛、性能强大的新一代微芯片。属于所谓的宽禁带，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV（电子伏）的半导体，它是一种用于发展率、大功率微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。
氮化镓GaN材料的研究与应用是当前全球半导体研究的和热点。它是一种用于开发微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。继代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。具有宽的直接带隙、强的原子键、高的导热率、良好的化学稳定性（几乎不被任何酸腐蚀）和强的抗辐射性能。应用于光电子、高温大功率器件以及高频微波器件中的应用具有广阔的前景。
