快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了t值，还降低了瞬态正向 压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向 压降约为 0.6V，正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小，使其 trr可低至几十纳秒。
通过采用特的掺铂 (Pt) 工艺，超快恢复二极管系列产品可实现快几十nS的反向恢复时间，高反向电压可达一千多伏，额定电流也可以达到上百安，高工作结温为175℃。
高压二极管是将若干个台面型芯片叠在一起，从而实现高耐压的层状单元型结构，采用特的新型结构保护胶钝化，环氧树脂封装。具有性能稳定、高耐湿、高耐热等特点。主要用于微波炉、汽车点火器、安全电表及其他电子设备高压电源整流，保护高压线路。
