作为一种具有特光电属性的半导体材料，GaN 的应用市场可以分为两个部分：(1)凭借 GaN 半导体材料宽禁带、激发蓝光的特性质开发新的光电应用产品。目前 GaN 光电器件和电子器件在光学存储、激光打印、高亮度发光二极管以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势，相关的商业专利己经有 20 多项，涉足 GaN 半导体器件商业开发和制造的企业也越来越多。(2)凭借 GaN 半导体材料在高温、高频、大功率工作条件下的出色性能取代部分硅和其它化合物半导体材料器件；其中高亮度发光二极管、蓝光激光器和功率晶体管是当前器件制造商和投资商为感兴趣和关注的三个GaN 器件市场。
1999年初，Nichia公司开始商业化生产用InGaN制作的紫色激光器，其输出功率为5mw，发射波长为400nm，工作寿命超过10000小时。近他们又开发出了室温下连续工作功率达30mw的激光器，波长为405nm。DVD的光存储密度与半导体激光器的波长平方成反比，如果DVD使用GaN基短波长半导体激光器，则其光存储密度将比当前使用GaAs基半导体激光器的同类产品提高4－5倍，因此，宽禁带GaN半导体技术还将成为光存储和处理的主流技术。
氮化镓GaN材料的研究与应用是当前半导体研究的和热点。它是一种用于开发微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。继代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。具有宽的直接带隙、强的原子键、高的导热率、良好的化学稳定性（几乎不被任何酸腐蚀）和强的抗辐射性能。应用于光电子、高温大功率器件以及高频微波器件中的应用具有广阔的前景。
