终阶段时孔洞变得不稳定，相互融合产生更大孔洞。多晶材料中的烧结机理，只有晶界处和烧结颈的缺陷处的体积扩散（volume diffusion）才能产生致密化。
随着电子封装产业的迅猛发展，使得市场对大功率半导体器件材料的门槛不断提高。
善仁新材公司致力于成为的低温银浆的，通过公司的纳米材料平台，金属材料平台等，于2019年再国内率先开发出低温纳米烧结银，打破国外技术壁垒，现已开发出一系列低温烧结银胶产品，适用于功率器件、大功率LED、功率模块的粘接和封装。
善仁新材开发的烧结银技术被定位为继焊料之后的次世代接合技术，由于比焊料更能耐受高温，具有的散热性，可望适用于电动车(EV)、碳化硅(SiC)功率半导体等用途。但相对于焊料在回焊(Reflow)时可快速接合，很多国外的烧结银则须利用装置进行加压制程，因此有生产效率的问题，且加压装置会增加投资成本。
善仁新材开发的AS9375功率器件烧结银胶能适用于无加压的低温烧结，具有使用上的便利性。且即使是在无加压的氮气氛围下进行烧结，亦能发挥的接合强度与导电率。
但是以利用纳米粒子进行烧结接合的金属而言，相较于银，铜较容易变成氧化状态，且使用比表面积较大的纳米粒子，氧化倾向就更为显著，氧化被膜一旦生成，将进而导致接合时的阻碍，也因此氧化被膜的生成提高了铜烧结技术的难度。
然而善仁新材开发的烧结铜在金属材料中加入了溶剂、添加剂等材料，使内部形成产生还原性气体的构造，借此解决了氧化被膜的问题，实现了理想的粘结性能。
