2018年标志性的转变---使用碳化硅MOSFET替换传统硅基IGBT于主驱逆变器中，为碳化硅技术在电动汽车中的广泛应用奠定了基础。此后，多家国内新能源汽车品牌纷纷投身碳化硅器件的研发应用。新技术的不断涌现，如800V高压快充，以及新能源汽车市场的持续扩张，促进了碳化硅的飞速发展。
随着800V碳化硅技术日益普及，善仁新材的烧结银技术为汽车电力电子产品封装提供了革命性的解决方案，其应用前景备受关注。
从2022年9月份开始，善仁新材开发的针对功率模块焊接到散热器上的大面积有压烧结银AS9387，在珠三角的客户端得到客户的广泛认可，此款烧结银可以200度的烧结条件下表现很好的性能，帮助客户实现了的散热效果。此款烧结银不但可以在金银表面进行烧结，也可以在裸铜表面上进行烧结，并且剪切强度高达50MPA以上。
AS9378烧结银解决了以下三大问题：
1：大面积烧结会大幅增加客户对烧结银膏的用量，而烧结银成本相对较高，作为中国烧结银的者，善仁新材的解决了这一困扰客户的难题。
SHAREX善仁新材烧结银研究院认为：随着越来越多的碳化硅模块制造商、封装厂商乃至汽车制造商开始采用大面积烧结银工艺，相信未来大面积烧结技术在车型中的采用率会越来越高。
功率模块封装技术的重要趋势之一是在功率模块中越来越多地使用碳化硅MOSFET作为Si IGBT的替代品，特别是在电动车的应用中。这导致了对能够承受更高工作温度的功率模块封装材料的日益增长的需求，例如银烧结芯片粘接、的低杂散电感电气互连、Si3N4-AMB衬板、结构化底板以及高温稳定的封装材料。
