用途：用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片。
半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺（离子注入、扩散、外延生长及光刻）为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。
大直径晶片的清洗采用上述方法不好其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，其清洗过程是在室温下重复利用DI-O 3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3 ）产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。后冲洗不是采用DI水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（IPA）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。
PTFE在化工中的另一大应用是密封材料。由于聚四氟乙烯综合性能良好,是任何一种密封材料都不可比拟的, 它可用于各种苛刻场合的密封,尤其是对于高温、耐腐蚀性要求较高时。聚四氟乙烯生料带纤维长、强度高,而且塑性大、压延性好,施加较小的压紧力就可完全密封,操作应用方便,用在凹凸不平或结构精密的表面更显其,具有很好的密封性能并且可提高抗腐蚀能力, 扩大其使用范围。
除熔融金属钠和液氟外，和一切化学药品不反应。在化工生产中，用做设备衬里、分馏塔、波纹管、泵、阀门、密封垫片等；机械工业上，用做密封件、活塞环、转动轴承等；电子工业上，用于电子计算机信号线绝缘、电缆绝缘、高频电子仪器绝缘以及制造高频电缆、电容器、导线等
PTFE的机械性能相对于其他塑料差一些，但在-73℃至204℃宽温度范围内，其性能仍保持在有用的水平。通常通过添加一些填充物来增加其机械性能，它具有非常的热电绝缘性能并且摩擦系数很低。PTFE非常致密且不能进行熔融加工，将其压缩并烧结以形成有用的形状。
