现有晶圆片生产过程中,需要从一道生产工序转移到下一道生产上,现有技术中依靠人力进行传送,传送过程的耗费人力,且人为传送力道不能掌握,容易造成破片。为此,我们提供了一种自动晶圆传片器以解决以上问题。
晶圆经过前道工席后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同:
厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低;
厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂。
顶面碎片，它发生晶圆的顶面，变成一个合格率问题，当切片接近芯片的有源区域时，主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。
背面碎片发生在晶圆的底面，当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候，BSC变成一个合格率问题。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不计。另一方面，当尺寸大于25um时，可以看作是潜在的受损。可是，50um的平均大小可以接受，示晶圆的厚度而定。
切片工序的关键部分是切割刀片的修整(dressing)。在非监测的切片系统中，修整工序是通过一套反复试验来建立的。在刀片负载受监测的系统中，修整的终点是通过测量的力量数据来发现的，它建立佳的修整程序。这个方法有两个优点:不需要来佳的刀片性能，和没有合格率损失，该损失是由于用部分修整的刀片切片所造成的质量差。
切片工艺变得越来越且要求高。切割迹道变得越窄，可能充满测试用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各种涂敷层。在这些条件下达到大的切片工艺合格率和生产率要求认真的刀片选择和的工艺控制能力。
通常来说，对于小芯片减薄划片时使用UV膜，对于大芯片减薄划片时使用蓝膜，因为，UV膜的粘性可以使用紫外线的照射时间和强度来控制，防止芯片在抓取的过程中漏抓或者抓崩。若芯片在减薄划切实之后，直接上倒封装标签生产线，那么好使用UV膜，因为倒封装生产线的芯片一般比较小，而且设备的顶针在蓝膜底部将芯片顶起。如果使用较大粘性剥离度的蓝膜，可能使得顶针在顶起芯片的过程中将芯片顶碎。
