富士IGBT模块通过几个关键特性实现了这些优势：
低损耗：通过优化IGBT元件以及二极管元件的厚度，实现了小型化，从而优化了元件结构。这降低了变频器运行时的电力损耗，与以往产品相比，变频器损耗降低了10%，芯片温度降低了11℃。
富士功率模块是富士变频器和各种电源设备所配备的主电路核心器件，具有低功耗、、高可靠、一体化等优点。而随之相关的富士电机生产的功率模块（igbt、pim、ipm）产品也具有优良的性能，并且较高的性价比被越来越广阔的领域所认同。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
