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单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动，便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计，提高稳定性。支撑柱安装在炉体支撑平台的上面，便于平台下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计，维护方便，可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选，保控温精度。质量流量计控制流量。真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。
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为了方便副炉室3移动到取晶位，并方便副炉室3的拆解、清理，连续拉晶单晶炉还包括副炉室升降驱动装置12和副炉室旋转驱动装置13，所述所述副炉室3通过副炉室旋臂14连接在副炉室升降驱动装置12上，以便通过副炉室升降驱动装置12驱动副炉室旋臂14升降，并通过副炉室旋臂14带动副炉室3升降，所述副炉室旋转驱动装置13连接在副炉室升降驱动装置12和副炉室旋臂14之间，以便使得副炉室旋转驱动装置13随副炉室旋臂14一起升降，并通过副炉室旋转驱动装置13驱动副炉室旋臂14旋转，副炉室旋臂14又带动副炉室3旋转。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，原理简介，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm 左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，使肩部近似直角；然后，进入等径工艺，通过控制热场温度和晶体提升速度，生长出一定直径规格大小的单晶柱体；后，待大部分硅溶液都已经完成结晶时，再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体，称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程基本完成，进行一定的保温冷却后可以取出。
