无压烧结银工艺和有压烧结银工艺流程区别
如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前研究的重要内容。
一 AS9375无压烧结银工艺流程：
1 清洁粘结界面
2 界面表面能太低，建议增加界面表面能
3 粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽
烧结过程可分为初期、中期、末期三个阶段。
个阶段（烧结初期），颗粒之间逐渐通过点开始接触，并逐渐聚合形成烧结颈，这是通过原子间扩散作用而逐渐长大并导致的颗粒之间距离的缩小。 随着颗粒之间形成的颈部开始长大变粗并形成晶界，晶界滑移并带动晶粒生长，则进入该烧结过程中的第二阶段（烧结中期）
SHAREX善仁新材建议：纳米银烧结过程中，在温度较低的条件下，原子间发生表面扩散、表面晶格扩散和气相迁移，通过晶粒生长形成烧结颈，但是对烧结的致密化没有影响。 在高温下发生晶界扩散、晶界晶格扩散以及塑性流动，利于烧结结构的收缩和致密化。
无压烧结银和导电银胶的区别
1 烧结温度不同：AS9375烧结银是通过纳米银颗粒的特的表面能，在不需要任何压力的情况下，在普通的烤箱中加热升温到160度就可以烧结;普通的导电银胶可以在更低的温度下固化，比如AS6080导电胶可以在90度固化。
6 粘结器件不同：烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。
