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由于数值模拟提供了一个近似真实的过程，利用这一技术可以很容易的对任何类型的变化（几何尺寸、保温材料、加热器、环境等）对晶体质量的影响做出容易的判断。数值仿真是用来获得廉价的，完整的和细节的结晶过程，以此方法用来预测晶体生长,改善晶体生长技术。举例来说，对于无经验人员，可以形象化展示熔体流动的历史点缺陷和热应力细节。所以数值仿真是一种达到较高生产率和较好满足市场对晶体直径，质量要求的办法。面向过程的仿真软件FEMAG为用户提供了可以深入研究的数值工具,用户通过有效的计算机模拟可以设计和优化工作流程。通过对单晶炉热场的仿真计算，优化设计单晶炉的机械结构，在拉晶过程中以仿真结果设定合理的理论拉晶曲线可以在实际生产中是完全可以生长出合格的单晶硅棒。
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提拉式单晶炉技术参数1、电源电压：380VAC±5%2、电源频率：50HZ 3、电源相数：3相3线制4、变压器容量：190KVA5、加热器加热功率：160KW6、加热温度：1600℃7、加热器加热电压：60V8、冷炉极限真空度：＜a9、晶体直径：￠6〞～￠8〞10、熔料量 ：90Kg11、主炉室尺寸：φ900×1250mm上炉室尺寸：φ900×900mm下炉室尺寸：φ900×350mm12、翻板阀通径：φ280mm13、封头炉盖高度：410mm14、副炉室尺寸：φ280×250015、籽晶转速范围：1～40rpm16、籽晶拉速范围：0.2～8mm/min17、籽晶快速：≥350mm/min18、籽晶在炉内有效行程：3500mm19、籽晶在副室内有效行程：2100mm20、坩埚升速范围：0.02～1mm/min21、坩埚快速：≥100mm/min22、坩埚在炉内有效行程：400mm23、坩埚转速范围：1～30rpm24、两个电极孔孔距：480mm 25、耗水量：25m3/h26、主机占地面积：2500x2000mm27、主机高度：6800mm28、主机重量：约7500Kg分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，单晶硅生长炉原理简介单晶硅生长炉的特点\单晶硅生长炉是通过直拉法生产单晶硅的制造设备。主要由主机、加热电源和计算机控制系统三大部分组成。1、主机部分：机架，双立柱\双层水冷式结构炉体\水冷式阀座\晶体提升及旋转机构\坩埚提升及旋转机构\系统\真空系统及自动炉压检测控制\水冷系统及多种安全保障装置\留有二次加料口2、加热器电源：全水冷电源装置采用专利电源或原装进口IG及超快恢复二极管等功率器件。配以高频变压器，构成新一代高频开关电源。采用移相全桥软开关（ZVS）及CPU控制技术，提高了电能转换效率，不需要功率因数补偿装置。3、计算机控制系统：采用PLC和上位工业平板电脑PC机，配备大屏幕触摸式HMI人机界面、高像素CCD测径 ADC系统和具有知识产权的“全自动Cz法晶体生长SCADA监控系统”，可实现从抽真空—检漏—炉压控制—熔料—稳定—溶接—引晶—放肩—转肩—等径—收尾—停炉全过程自动控制。
