作为一种具有特光电属性的半导体材料，GaN 的应用市场可以分为两个部分：(1)凭借 GaN 半导体材料宽禁带、激发蓝光的特性质开发新的光电应用产品。目前 GaN 光电器件和电子器件在光学存储、激光打印、高亮度发光二极管以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势，相关的商业专利己经有 20 多项，涉足 GaN 半导体器件商业开发和制造的企业也越来越多。(2)凭借 GaN 半导体材料在高温、高频、大功率工作条件下的出色性能取代部分硅和其它化合物半导体材料器件；其中高亮度发光二极管、蓝光激光器和功率晶体管是当前器件制造商和投资商为感兴趣和关注的三个GaN 器件市场。
GaN材料由于缺乏合适的体单晶衬底，只有采用异质外延技术。商业化的半导体绝大多数是采用体材料，GaN材料是一个例外，它用异质外延材料成功地做成了器件。
氮化镓（化学式GaN）被称为“半导体材料”，可用于制造用途广泛、性能强大的新一代微芯片。属于所谓的宽禁带，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV（电子伏）的半导体，它是一种用于发展率、大功率微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。
