提率：善仁新材的这一无压低温技术提高了生产效率，从传统银烧结技术每小时只能生产约30个产品上升至现在的每小时3000个。现在，凭借这一新的银烧结材料，第三代半导体封装得以实现高产能，高可靠性的产品。
为响应第三代半导体快速发展的需求，善仁新材宣布了革命性的无压低温银烧结技术的成功。该技术无需加压直接烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的生产。
AlwayStone AS9331是一款使用了银烧结技术的无压纳米银，它是一种高可靠性的芯片粘接材料，非常适用于车规级IGBT和高功率LED产品等功率模块，并且了160度烧结的低温烧结银的先河。
研发部分为研发一部，研发二部，研发三部。其中研发一部以纳米银为主要研发方向；研发二部以低温导电银浆，导电胶为主要研发方向；研发三部以厚膜浆料为主要研发方向。目前正在申请博士后科研工作站。公司与“常春藤”名校康奈尔大学，北京大学，维兹曼研究所，俄亥俄州立大学，复旦大学，上海交大，东华大学，东京大学，横滨国立大学，国家纳米工程中心等多个科研单位和高等院校建立产学研合作关系。致力于提供环保、、高性价比的导电材料，导热材料，导磁材料解决方案。
公司开发出了纳米颗粒技术平台，金属技术平台、树脂合成技术平台、同位合成技术平台，粘结技术平台等。在以上技术平台上开发出了导电银胶、导电银浆，低温烧结银，纳米银墨水，纳米银浆，纳米银胶，纳米银膏，可焊接低温银浆，可拉伸银浆，异方性导电胶，电磁屏蔽胶，导热胶等产品。
为了验证此策略，使用1200V/400A车用SiC功率模块的低应力封装工艺，此器件的烧结面积4.4 mm×4.0 mm，钼片厚度为1.5 mm，氧化铝衬底基板的厚度为1.2 mm。 两侧基板均采用AS9330低温无压银烧结技术以实现器件和钼片的互连，烧结后形成器件-基板组件和钼片-基板组件结构连接，烧结后两组组件的连接使用传统的高温焊料 Pb92.5Sn5Ag2.5。
以上连接工艺均在传统真空回流炉中完成。相比传统Si基功率封装模块，这种采用AS9330银烧结的SiC功率模块的热阻降低了40%，体积减小50%。由于烧结过程大面积基板的翘曲问题，SiC 基器件的源区焊接面并没有使用银烧结，考虑到器件源区连接界面接近SiC器件的结温，该界面处可能更容易发生失效，所以采用对低压辅助烧结或借助适当治具有助于增加该界面的稳定性，进而实现一次全银烧结。
