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MM3Z10VT1G,稳压二极管ON/安森美原装优势现货供应

更新时间:2024-07-01 07:38:44 [举报]

MMBFJ176:P 沟道开关 该器件设计用于低电平模拟开关采样和保持电路以及斩波稳定放大器。
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NVR5198NLT1G:汽车功率MOSFET。60 V、155 mOhm、单 N 沟道逻辑电平,SOT-23。符合AEC-Q101标准的MOSFET和PPAP,适用于汽车应用。
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UC2842BD1R2G
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC-DC转换器应用而设计,为设计人员提供了具有极少外部元件的高性价比解决方案。这些集成电路具有用于占空比控制的微调振荡器、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器和非常适合驱动功率 MOSFET 的高电流图腾柱输出。
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NCV7805BDTRKG线性稳压器是单片集成电路,设计为固定电压稳压器,适用于各种应用,包括本地卡上调节。这些稳压器采用内部电流限制、热关断和安全区域补偿。通过足够的散热,它们可以提供超过 1.0 A 的输出电流。虽然这些器件主要设计为固定电压调节器,但可以与外部元件一起使用,以获得可调节的电压和电流。
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MOC3041SR2M概述:
MOC303XM和MOC304XM器件由一个光耦合到单片硅探测器的AlGaAs红外发射二极管组成,该二极管具有零电压交叉双边三端双向可控硅驱动器的功能。
它们设计用于逻辑系统接口中的三端双向可控硅,用于由 115VAC 线路供电的设备,例如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、螺线管和消费电器等。
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NCV8405ASTT1G简述:
NCV8405是一款三端子保护的低侧智能分立器件。保护功能包括过流、过热、ESD 和用于过压保护的集成漏极至栅极箝位。该器件适用于恶劣的汽车环境。
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标签:ON安森美电源管理电机驱动芯片
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