通常，5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装，20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装，5A一下的快恢复二极管则采用DO-41，DO-15，或D0-27等规格塑料封装。
快恢复二极管芯片PN结构终止区用采用玻璃钝化技术，其热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配。所有的硅芯片越来越多的使用保护环平面技术和沟道阻断来降低芯片的表面电场。
快恢复二极管与常规的二极管结构类似，由正向PN结和反向PN结构成。但快恢复二极管在两侧分别加入了一层高浓度的掺杂区域，形成了一个带有浅反型层的PN结。当反向电压施加到二极管上时，由于反型层的存在，使得该层内的载流子在接近PN结时重新被抽出，从而缩短反向恢复时间。
