氮化镓，分子式GaN，英文名氮化镓是一种氮和镓的化合物，镓是一种具有直接带隙的半导体材料，自1990年以来一直在发光二极管中广泛使用。这种化合物的结构类似于纤锌矿，其硬度很高。Keep Tops的氮化镓具有3.4电子伏的极宽能隙，可用于大功率、高速的光电元件，其单芯片亮度理论上可达到过去的10倍。
特别是蓝光和绿光LED，广泛应用于大屏幕全彩显示屏、汽车灯具、多媒体成像、LCD背光、交通灯、光纤通信、卫星通信、海洋光通信、全息图像显示、图形识别等领域。体积小，重量轻，驱动电压低（3.5-4.0V），响应时间短，寿命长(。10万小时以上，冷光源，光效高，具有防爆、节能等功能。
GaN材料系列具有低发热率和高击穿电场，是开发高温、大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着MBE技术在GaN材料应用方面的进展以及薄膜生长关键技术的突破，各种GaN异质结构已成功生长。利用GaN材料制备了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管（HFET）和调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂AlGaN/GaN结构具有高电子迁移率（2000cm2/vs）、高饱和速度（1×107cm/s）和低介电常数，是制作微波器件的材料；采用GaN宽带隙（3.4eV）和蓝宝石等材料作为衬底，具有良好的散热性能，有利于器件在高功率条件下工作。
