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用于熔化硅料的外部化料器7，所述外部化料器7的和加料坩埚62相连通，所述外部化料器7的底端和主炉室坩埚21相连通，以便将硅料加加料坩埚62后，硅料漏外部化料器7后被外部化料器7熔化，被熔化后的硅料流主炉室坩埚21内。具体地，外部加料器6和外部化料器7之间设置有旋阀64，以便通过旋阀64控制外部加料器6和外部化料器7之间是否连通，所述外部化料器包括装料器71、化料器坩埚72和用于给化料器坩埚72加热以便硅料熔化的热场73，所述装料器71和加料坩埚62相连通，所述化料器坩埚72和装料器71相连通，
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直拉式单晶生长炉的制作方法、专利名称：直拉式单晶生长炉的制作方法、技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的单晶炉剖面示意图；图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为炉底护盘、12为输 入管、11为分布有出气孔11-1的环形气体分布器、13为排气口。直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入，并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上，从而影响了单晶炉的使用寿命。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，权利要求1、一种直拉式单晶生长炉，包括设于该炉顶部并伸入炉内的输入管(12)、与输入管(12)相连通的环形气体分布器(11)；其特征在于经输入管(12)输入的气压为0.8×10a0.9×10a，流量为30L/min。2、 根据权利要求1所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于还包括 设于该炉的坩埚支持器(14)下方和该炉底部的排气口 (13)之间的气流 导向装置(20);该气流导向装置(20)为碗形，其包括设于气流导向装 置(20)底部的中轴孔(2-1)、设于所述中轴孔(2-1)两侧的一对电 极孔(2-2)、以及设于所述中轴孔(2-1)两侧并与该炉的排气口 (13)相 对的通气孔(2-3);该炉的石墨中轴(21)
