快恢复二极管反向恢复时间的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。IF为正向电流，IRM为大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。
整流二极管的根本构造是 PN 结 （ P 型半导体和 N 型半导体联系后 ， 在两者的联系而构成一个很薄的空间电荷区，这就是PN结）。在 PN 结的空间电荷内 ，电子元件势能发生了变化 ，电子要从 N 区到 P 区有必要越过一个能量高坡 （ 通常称为势垒） ，因而又把空间电荷区称为势垒区 。当PN结加正向电压时，势垒降低，呈现低电阻，具有较大的正向分散电流，称该状况为正导游通状况。当PN结加反向电压时，势垒增加，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流 ，称该状况为反向阻断状况 ，此刻 PN 结处于反向偏置状况。
击穿
外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临
界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿
而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则
二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯
丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。
二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路
中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二
极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光
二极管的压降为2.0--2.2V，发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为
3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA
二极管的电压与电流不是线性关系，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻。
