有压烧结银是一种常见的半导体封装材料，压烧结银的工艺非常复杂，需要考虑到不同的因素，如热量、熔融银的温度、模具的造型等。这种工艺需要熟练的技艺，可以制作出精美的饰品。
银烧结对于电力设备的封装来说具有众多的优势，尤其是压力是非常重要的，关键的因素。流程参数的控制也是非常重要的，实时的控制动力插入技术将会提供更加准确的烧结控制方法，功率输入的可靠性，性能非常的好。
通过烧结银的纳米颗粒物可以增强这种材料的连接能力，以及它的张力，所以银是非常好的材料，只有银的纳米材料才能呈现这样的结构，所以银在我们制造烧结连接器件的时候发挥了非常重要的作用。
有压烧结银AS9385工艺流程： 清洁粘结界面；界面表面能太低，建议增加界面表面能；粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽
预压阶段：150度加压0.5-1MPa，时间为：1-3秒； 本压阶段：220-280度加压10-30MPa，时间2-6分钟；烧结结束时，建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高和压力加大，烧结体密度和硬度逐渐增大，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，增大的趋势更加明显；
