大量的研究表明低频噪声是导致器件失效的各种潜在缺陷的敏感反映，此外噪声检测方法还具有灵敏、普适、快速和非破坏性等优点。电噪声根据其形成机构可分为白噪声和过剩噪声。其中，白噪声与频率无关，主要由材料或器件的本征性质决定；过剩噪声则在低频下显著，主要由材料或器件的不完整性决定，大量研究已经证明，绝大多数不完整性(尤其是潜在缺陷) 的存在都会引入过剩噪声，而且噪声大的器件，可靠性必然差。另外，低频噪声与传统的电学参数相比较，可以更加灵敏地反映器件的潜在损伤，这些都使得低频噪声能广泛的应用于半导体器件的可靠性研究。低频噪声除了可以用在电子器件可靠性的检测外，在一些光电器件如量子阱激光器、发光二极管、光电耦合器方面也有成功的应用。
氮化镓是一种直接带隙宽禁带半导体材料,禁带宽度为3.4eV。GaN材料化学件质稳定,在室温下不溶于水、酸、碱;质地带硬,熔点非常高(250(rC)。GaN材料制作的蓝光、绿光LED以及激光二极管(Laser Diode, LD)早已实现了产业化生产,以其体积小、寿命长、亮度高、能耗小等优点,有望取代传统白识灯、日光灯等成为主要照明光源。
：主要包括高输出功率、高功率密度、高工作带宽、率、体积小、重量轻等。目前代、第二代半导体材料在输出功率方面已达到极限并且由于GaN半导体在热稳定性方面的优势，很容易实现高工作脉宽和高工作比。功率增加 10 倍。
