1降低综合成本：可以支持高电压和更高工作温度的硅以及宽能隙器件，并且帮助客户每千瓦成本降低40％以上。
多样化了的车载功率半导体，尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加，为了应对这个问题，就要求封装实现（1）低电阻、（2）高散热、（3）高密度封装。而AS9385烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。
烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；一般的导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。
对于大功率芯片封装来说，烧结银表现出了传统解决方案所没有的优势。
