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直拉法，也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法，用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产，易于制备大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以制备低电阻率单晶。据统计，世界上硅单晶的产量中70%～80%是用直拉法生产的。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，为现有技术的切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的直拉式单晶生长 炉的剖面结构示意图2为图1中的输入管与环形气体分布器的结构示意图3为实施例1中直拉式单晶生长炉的气流导向装置的结构示意图4为图3的A-A剖面视图5为为图3的B-B剖面视图6为实施例1中直拉式单晶生长炉的剖面结构示意图7为实施例1中直拉式单晶生长炉的另一剖面结构示意图。

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单晶炉真空系统的除尘技术为便于分析研究起见，将整个除尘过程分为有联系而又有区别的如下三个过程。捕集分离过程该过程可分为捕集推移阶段和分离阶段。 捕集推移阶段　均匀混合或悬浮在气体中的粉尘进入除尘器的除尘空间，根据不同的除尘器类型经受不同的外力作用，将粉尘推移到分离界面。随着粉尘向分离界面推移，浓度也越来越大，故捕集推移阶段实质也是粉尘浓缩的阶段。分离阶段　高浓度的尘流向分离界面以后，有两种机理在起作用：气体运载粉尘的能力将达到极限状态，悬浮与沉降这对矛盾中，沉降成为主要方面，通过沉降，粉尘从气体中分离出来。极限状态的影响因素一般与气流速度及边壁的边界条件有关。