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一种连续拉晶单晶炉背景技术：目前，大多数单晶炉都是采用一次性向主炉室坩埚投料的方法，通常是生产完一炉后，等单晶炉冷却后，再往主炉室坩埚内装料，进行下一次生产，这样既浪费了时间，又造成了热量的流失，且在拉晶棒的过程中，不能进行补料操作，在拉晶棒的后期阶段，会因为硅料中某些元素的挥发而影响晶棒后半部分的质量。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种连续拉晶单晶炉，它可以连续加料、连续化料，从而实现连续拉晶，选用合适的主炉室坩埚可以实现连续拉制五六根晶棒，减少了冷却、拆炉、装炉的时间，提高了生产效率，也减少了热量的流失。为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种连续拉晶单晶炉，它包括括底座、主炉室、副炉室、下驱动装置和上驱动装置，所述主炉室和下驱动装置均安装在底座上，蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，权利要求1、一种直拉式单晶生长炉，包括设于该炉顶部并伸入炉内的输入管(12)、与输入管(12)相连通的环形气体分布器(11)；其特征在于经输入管(12)输入的气压为0.8×10a0.9×10a，流量为30L/min。2、 根据权利要求1所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于还包括 设于该炉的坩埚支持器(14)下方和该炉底部的排气口 (13)之间的气流 导向装置(20);该气流导向装置(20)为碗形，其包括设于气流导向装 置(20)底部的中轴孔(2-1)、设于所述中轴孔(2-1)两侧的一对电 极孔(2-2)、以及设于所述中轴孔(2-1)两侧并与该炉的排气口 (13)相 对的通气孔(2-3);该炉的石墨中轴(21)
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本文从晶体生长物理基础和流体力学的基本理论出发,结合硅单晶制备过程中热质输运的分析,采用实验和数值分析相结合的方法,以大直径硅单晶制备为主要研究对象,研究热场结构、控制参数和外加磁场对大直径硅单晶生长的影响。通过数值分析的手段,研究了结构参数和控制参数对晶体生长特性的影响,确定了晶体制备的工艺条件;采用28inch和32inch热场制备出400mm和45
