富士IGBT模块通过几个关键特性实现了这些优势：
低损耗：通过优化IGBT元件以及二极管元件的厚度，实现了小型化，从而优化了元件结构。这降低了变频器运行时的电力损耗，与以往产品相比，变频器损耗降低了10%，芯片温度降低了11℃。
富士igbt功率模块
富士IGBT功率模块是一种的结构，可以满足多种应用场合。它采用具有可靠性的高强度的IGBT三极管来制造，能够提供大的负载功率，从而满足系统设计和应用的要求富士IGBT功率模块在负载管理和功耗控制方面表现出色，并且可以使用削尖的固体介质以及低电压，率控制隔离，这些特点使其在工业应用中表现出优势。
此外，还可以采用可调电流模式来实现负载管理，同时具备转换效率、带有软启动技术、低滞后、低噪声特性和低共振特性，这些特性使其成为电气和工业控制应用的理想选择。
