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基于以上两款焊料的不足,有压烧结银AS9385应运而生,烧结银克服了以上两款产品的各种不足和问题,具有导热系数高,剪切强度大,生产,无铅化、免清洗等特点,是第三代半导体封装的理想焊接材料。现有的基板铜层的贵金属镀层也增加了成本;散热新材开发的 AS9385有压纳米烧结银可以焊接裸铜,大大降低了客户的生产成本;随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)越来越多的应用在更加高温、高压和高频的环境,相应的封装材料和结构,尤其是芯片-基板的互连,在导热、导电和可靠性方面提出了更为严苛的要求。
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