GaN属III-V族氮化物材料，是一种极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料（熔点约为1700℃）。通常条件下，GaN以六方对称性纤锌矿2H结构存在, 它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿3C结构存在。从晶体学上讲，两种结构的主要区别在于沿(111)晶向原子 a =0.3189n c = 0.5185nm；立方GaN的晶格常数公认的数值为 0.452nm 左右。Ga溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。
特别是蓝光和绿光LED，广泛应用于大屏幕全彩显示屏、汽车灯具、多媒体成像、LCD背光、交通灯、光纤通信、卫星通信、海洋光通信、全息图像显示、图形识别等领域。体积小，重量轻，驱动电压低（3.5-4.0V），响应时间短，寿命长(。10万小时以上，冷光源，光效高，具有防爆、节能等功能。
：主要包括高输出功率、高功率密度、高工作带宽、率、体积小、重量轻等。目前代、第二代半导体材料在输出功率方面已达到极限并且由于GaN半导体在热稳定性方面的优势，很容易实现高工作脉宽和高工作比。功率增加 10 倍。
