射频同轴连接器射频同轴连接器的命名方法型号命名射频同轴连接器的型号由主称代号和结构代号两部分组成，中间用短横线"-"隔开。主称代号射频连接器的主称代号采用国际上通用的主称代号，具体产品的不同结构形式的命名由详细规范作出具体规定。结构形式代号射频连接器的结构。
射频同轴连接器在电性能上应像射频同轴电缆的延伸，或者说同轴连接器与同轴电缆连接时应尽量降低对被传输信号的影响, 故特征阻抗和电压驻波比是射频同轴连接器的重要指标，连接器的特征阻抗决定了与它连接的电缆的阻抗类型. 电压驻波比反映了连接器的匹配水平.
射频同轴连接器性能指标插损，指当一个元器件或系统插入连接到某个电路时，使该电路产生能量损耗，所损耗的能量为该元器件或系统的插损，往往以dB为单位。插损是随着频率的增加而增加的。这是由于趋肤效应而产生的射频泄露。
