前30 min顶部沉积速率的异常下降是由于预处理后时间过
长造成的。在电化学反应之前铜离⼦和添加剂分⼦的充分扩
散导致在初始阶段相对较快的沉积。随着反应的进⾏，电解
液中的铜离⼦从阴极接受电⼦并不断转化为铜。随着纵横比
的增加，铜离⼦向底部的扩散速率降低。铜离⼦的传质限制
降低了沉积到底部的速率。同时，铜离⼦在顶部的积累提⾼
了沉积速率。逐渐地，顶部的电沉积速率超过底部的电沉积
速率，终导致接缝缺陷。
深硅刻蚀设备
通常情况下，制造硅通孔(经常穿透多层⾦属和绝缘材料)采用深反 应离⼦刻蚀
技术(DRIE)，常用的深硅刻蚀技术又称为“Bosch(博⽒)” ⼯艺，有初发明该项
技术的公司命名。 如下图所示，⼀个标准Bosch⼯艺循环包括选择性刻蚀和钝
化两个步 骤，其中选择性刻蚀过程采用的是SF6和O2两种⽓体，钝化过程采用
的是 C4F8⽓体。在Bosch⼯艺过程中，利用SF6等离⼦体刻蚀硅衬底，接
着利用C4F8等离⼦体作为钝化物沉积在硅衬底上，在这些⽓体中加⼊O2 等离
⼦体，能够有效控制刻蚀速率与选择性。因此，在Bosch刻蚀过程中 很自然地
形成了⻉壳状的刻蚀侧壁。
封装之TSV及TGV技术初探
其中，玻璃诱导刻蚀法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上产⽣变性区域;2)将激光处理过的玻璃放在 氢氟酸溶液
中进⾏刻蚀。
玻璃通孔⾼密度布线
线路转移(CTT)和光敏介质嵌⼊法，是比较常用的⽅式。 CTT主要 包括两个过
程。⼀是精细RDL线预制，每⼀RDL层可以在可移动载体上单 制造⼀层薄导
电层，并在转移到基板上之前测试或检查细线成品率。精 细线路的形成采用细
线光刻和电解镀铜的⽅法，并且以薄铜箔作为镀层的 种⼦层
嵌⼊式玻璃扇出与集成天线封装
玻璃通孔还可以在玻璃上制作空腔，进⽽为芯片的封装提供⼀种嵌⼊ 式玻璃扇
出(eGFO)的新⽅案。2017年乔治亚理⼯率先实现了用于⾼I/O 密度和⾼频多芯
片集成的玻璃面板扇出封装。该技术在70um厚、⼤小为 300mm*300mm的玻璃
面板上完成了26个芯片的扇出封装，并有效的控 制芯片的偏移和翘曲。2020年
云天半导体采用嵌⼊式玻璃扇出技术开了 77GHz汽⻋雷达芯片的封装，并在此
基础上提出了⼀种⾼性能的天线封装 (AiP)⽅案。
基于玻璃通孔的MEMS封装
2013年，LEE等利用玻璃穿孔技术实现射频MEMS器件的晶圆级封装， 采用电
镀⽅案实现通孔的完全填充，通过该⽅案制作的射频MEMS器件在 20GHz时具
有0.197dB的低插⼊损耗和20.032dB的⾼返回损耗。2018年， LAAKSO等创造性
地使用磁辅助组装的⽅式来填充玻璃通孔，并用于 MEMS器件的封装中。
