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单晶硅生长炉的原理简介/我有更好的/，把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚，通过石墨加热器产生的高温将其熔化；然后，对熔化的硅液稍做降温，使之产生一定的过冷度，再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体（称作籽晶）插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便会在籽晶下端生长；接着，控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3～5mm的细颈，用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错，这个过程是引晶；随后，放大晶体直径到工艺要求的大小，一般为75～300mm，这个过程称为放肩；接着，突然提高拉速进行转肩操作，
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在本实施例中，所述副炉室升降驱动装置12的结构和加料器升降驱动装置的结构一致，所述副炉室旋转驱动装置13的结构和加料器旋转驱动装置的结构也一致。为了防止在副炉室3移动到取晶位的过程中，因晶棒掉落而出现事故，连续拉晶单晶炉还包括在副炉室3移动到取晶位的过程中用于承接晶棒的电动接晶托，所述电动接晶托包括提升杆、用于承接晶棒的托板153、电动推杆152、接晶托电机154和固定管151，所述电动推杆152连接在副炉室旋臂14上，所述提升杆连接在电动推杆152的推杆上，以便通过推杆的升降带动提升杆升降，所述接晶托电机154连接在提升杆上，所述托板153连接在接晶托电机154的输出轴上，以便通过接晶托电机154驱动托板153旋转，所述固定管151套装在提升杆和电动推杆152的推杆的外侧，所述固定管151连接在副炉室旋臂14上。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，根据权利要求4所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流 导向装置(20)的上端部(2-4)的外壁与该炉的保温筒(17)密封连接。6、 根据权利要求5所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流 导向装置(20)各通气孔(2-3)与该炉的排气口 (13)通过通气管(19) 相连通。7、 根据权利要求6所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流 导向装置(20)由石墨制成。
