校准区截面呈方形，晶圆上料装置和晶圆收料装置对应设置在方形的相邻两侧边，晶圆取放装置对应设置在晶圆上料装置和边缘式校准器之间，且自动导片机还包括位于校准区的负离子发生器。这样设置，结构紧凑，设备运行，同时，负离子发生器可产生大量带有正负电荷的气流，可以将晶圆检测区内的物体表面所带电荷中和。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
