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型号 SAP-L2016H 名称 16单元线性阵列音柱 单元组成 2寸喇叭*16 额定功率 240W 频率响应 120~20kHz 标称阻抗 8欧 灵敏度 91dB 最大声压级 102dB05月05日 -
型号 SAP-L2012H 名称 12单元线性阵列音柱 单元组成 2寸喇叭*12 额定功率 120W 频率响应 90～18kHz 标称阻抗 8欧 灵敏度 90dB 最大声压级 101dB05月05日
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型号 SAP-L2008H 名称 8单元线性阵列音柱 单元组成 2寸喇叭*8 额定功率 120W 频率响应 100～18kHz 标称阻抗 8欧 灵敏度 88dB 最大声压级 99dB05月05日
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5980.00元DCOCO/迪科科 AT210 两分频双10寸演出线性阵列扬声器音箱 舞台演出音响设备 三年质保 终身维护 产品特性： AT210线性阵列具有的频率响应，在60-18KHZ的范围可以提供平坦的响应输出，配合..08月09日
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3880.00元DCOCO 迪科科 PTL404 120W 线性阵列扬声器音柱喇叭音箱 全频线性音柱 线性音柱 圆桌会议室音箱 培训会议室壁挂音箱 会议报告厅音箱 礼堂音箱 剧场线性阵列音柱扬声器 PTL404是一款无源全频混..08月09日
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1.00元河南大型文艺演音响阵列配置公司 下面我们来说一下什么音箱适合做音箱阵列声阵、大型报告线阵音响系统设计、安装、公司公司效能热线：155 1567 9423交谈微信： jyh151 5667 9423河南线性音响11月14日
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1000.00元IBM服务器维修，IBM工作站维修，IBM小型机维修。IBM蓝色快车原厂配件质保一年。、IBM服务器故障类别鉴定标准、维修主板故障现象特征、服务器不启动、开机无显示、服务器密码遗忘、无法进11月30日
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1.00元FEMTO-SECOND PULSE ACQUISITION SPECTROMETER FPAS ARRAY INTEGRATORS： ModelArray SizeExt. Inputs FPAH-3006 32 16 FPAH-6006 64 16 FPAH-1004 ..03月12日
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面议高速可调阵列光衰减器简介 具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足光传输..11月18日
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与中国角度反射镜阵列发展态势及运营格局分析报告2024-2030年 【报告编号】:44610 【出版时间】:2023年10月 【出版机构】:中信博研研究网 【报告价格】:印刷版6500元 电子版6800元 印刷版+电..11月18日
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面议高速可调阵列光衰减器High speed Adjustable Array VOA 〖简介Introduction〗具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的..11月18日
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面议光衰减器系列高速可调阵列光衰减器简介 具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的响应速度，八通道单片集成，功耗低，满足..11月18日
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高速可调阵列光衰减器High speed Adjustable Array VOA 〖简介Introduction〗具备支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切换速度更快等特性。硅基VOA阵列器件内部为全固态芯片，具有百纳秒级的..11月18日
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100000.00元北京大成方宇科技有限公司 北京总代理 百威peavey音响VersArray系列VersArray 112 MKII线阵列 VersArray 112 MKII线阵列 无源音箱 线阵列 产品主要说明： l..11月18日
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mems光开关 1xN，台式光开关1x2 2x2，机械式1XN,MXN，光开关模块,阵列光开关,1x2,2x2ns光开关光开关MEMS光开关1XN特性应用无移动组件无源光网络切换速度快光保护系统极其稳定的锁存模块测量系..11月18日
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12000.00元北京大成方宇科技有限公司 DAC VOIX LA403/中国4单元3寸阵列声柱 4单元密闭式全频箱，防水纸浆涂层锥盆，低频心型扩散结构；采用DAC VOIX同轴喇叭单元； 驱动单元：铁氧体低..11月18日
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19200.00元北京大成方宇科技有限公司 DAC VOIX LA903 /中国9单元3寸阵列声柱 9单元密闭式全频箱，防水纸浆涂层低频锥盆，低频心型扩散结构；采用DAC VOIX同轴喇叭单元； 驱动单元：3″（..11月18日
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6666.00元MEMS全称Micro Electromechanical System（微机电系统），是一种通常在硅晶圆上以IC工艺制备的微机电系统，微机械结构的制备工艺包括光刻、离子束刻蚀、化学腐蚀、晶片键合等，同时..11月18日
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