氧化锌电子迁移率

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  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率选型表
    MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值) f=20GHz 时的高..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率功率
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01质量等级:GG MGF4964BL-01偏置条件: VDS=2V,内径=10mA低噪声 主要用于无线通信系统(如无线电、..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率能耗
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。低噪声放..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率电压
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率产品特性
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪声放大器的设计目标是将噪声..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率接收距离
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。低噪声放..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率待机电流
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率数据手册
    低噪声放大器芯片(Low Noise Amplifier,简称LNA)是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。低噪声放大器的设计目标是将噪声功率降到最小,以提高信号与噪声之间的信噪比。为了实现这一目标,..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率发射距离
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。低噪声放大器芯片通过优化电路设计和使用高..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率代理商
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。低噪声放大器芯片(Low Noise Amplifier,简称LNA)是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。使用合适的增益控制和反馈技术。增..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率参考数据
    MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值) f=20GHz 时的高..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型封装高电子迁移率功耗
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。低噪声放大器芯片(Low Noise Amplifier,简称LNA)是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。低噪声放大器的设计目标是将噪声功..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率接收距离
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪声放大器的主要功能是将信号..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率电压
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。降低器件本身的噪声。选择低噪声元件和设计合理的电路结构,以降低器件本身带来的噪声贡献。优化放大器的输入和..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率功耗
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs ..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率功率
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmi..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率待机电流
    MGF4964BL-01特征: f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。低噪声放大器芯片(Low Noise Amplifier,简称LNA)是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。低噪声 主要用于无线..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率能耗
    MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无铅认证 MGF4964BL-01是符合 RoHS 标准的产品。低噪..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率代理商
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01质量等级:GG MGF4964BL-01偏置条件: VDS=2V,内径=10mA低噪声放大器芯片(Low Noise Amplifier,简称LNA)是一..
    01月31日
  • MGF4964BL-01微X型塑料封装高电子迁移率发射距离
    :MGF4964BL-01: 1、设计用于K波段放大器; 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。低噪声放大器的设计目标是将噪声功率降到最..
    01月31日
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