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15.00元硅堆HVP-16防爆裂高压硅堆厂家 高压二极管、高压硅堆丨高压整流桥丨价格优惠 HVP系列1A高压二极管/硅堆HVP-10 HVP-12 HVP-14 HVP-16 HVP-18 HVP-20 HVP系列2A高压二极管/硅堆HVP-10/T HVP..02月22日 -
220.00元同兴快恢复二极管2CL1A100KV静电整流高压硅堆焦油捕捉配件鞍山同兴高压二极管、高压整流桥、高压硅堆价格优惠2CL100KV高压硅堆型号常用有2CL50mA100KV丨2CL0.1A100KV2CL0.2A/100KV丨2CL0.3mA1..02月22日
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8600.00元二极管托盘烘箱 热风循环托盘式二极管三极管烤箱 工业干燥箱厂家广泛用于二极管，三极管行业的专用型烘箱，加热采用远红外新技术，风循环系统可多样化，加热元件被加热后能辐射出红外10月20日
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二极管2CZ57D ，体积小，重量轻，应用广泛，功能性强，连接安全可靠。公司新品现货销售，价格优惠，发货快捷方便，确保售后服务周到，保证质量优良，假一赔十，保您满意。12月21日
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290.00元微波二极管BT6C16J ，低速开关，低频功率放大，电源调整。公司现货新品推出，价格优惠，发货快捷方便，确保售后服务周到，质量优良，保您满意 ，系列采用三重扩散工艺，抗烧毁能力强，12月17日
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贴片陶瓷放电二极管 SMD 2R3系列-（5KA） 型号：2R75TP3；2R90TP3；2R150TP3；2R230TP3；2R350TP3；2R470TP3；2R600TP3 规格：3×3×4.5 mm 通流量： 5KA 工作电压： 75V、90V、150V、230V..11月27日
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陶瓷放电二极管Φ5x5 陶瓷放电二极管 系列号：TC-2R5x5 外形尺寸 规格参数 项目 2R系列陶瓷气体放电管(Φ5X5/Φ5.5X6) 规格 2R75 V 2R90 V 2R150 V 2R230 V 2R350 V..02月12日
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插件陶瓷放电二极管 DIP2R8系列 插件陶瓷放电二极管 DIP2R8系列 封装： DIPΦ8X6 型号：2R75AI-N；2R90AI-N； 2R150AI-N；2R230AI-N； 2R350AI-N；2R470AI-N；2R600AI-N； 2R800AI-N；2R1..01月16日
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插件陶瓷放电二极管 不带引脚系列 插件陶瓷放电二极管 不带引脚系列 封装： DIPΦ7×4；4.4；6；Φ7.6×6.3；Φ8×4.4 型号： 2R75A-G/H/I；2R90A-G/H/I； 2R150A-G/H/I；2R230A-G/H/I；2R350A..01月16日
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10.00元品牌：IRD Balancing 介绍：美国IRD公司位于美国加州，托兰斯市，成立于1991年，专业生产用于UV、XUV、EUV和软X射线检测的硅材料，是世界知名的射线生产厂商。 IRD公司为世界众多知名研究机..01月08日
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UMB10S是钜兴生产的一款海鸥脚桥堆二极管 SOF2-4S封装 海鸥脚适用于波峰焊工艺，贴片型整流桥堆二极管 其参数： VRRM:1000V IF:0.5A IFSM:20A VF:1.1V 广东钜兴电子科技有限公司成立于..11月02日
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ABS110 mini桥堆二极管 曲脚ABS封装 整流桥堆二极管 具有体积小,使用方便等特点 在家用电器和工业电子电路中应用 非常广 其参数： VRRM:1000V IF:1.0A IFSM:35A VF:1.0V 钜兴生产的二..11月04日
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MB6F 贴片型桥堆二极管，海鸥脚MBF-S封装 迷你型桥堆二极管，玻璃钝化的模型结构 贴片迷你桥，低正向电压降 高浪涌电流能力，高电流能力 产品符合欧盟环保标准。 我司已通过UL认证。11月01日
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BAV21WS 是一款客户常用的贴片型快速开关二极管 SOD-323海鸥脚封装 印字"T3" 适用于小功率开关整流 具有开关速度快，低反向电流的特点，BAV21WS 快速开关二极管，体积小，焊接11月08日
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1.00元UMB10S 薄型贴片桥堆 迷你桥堆二极管 整流桥 贴片桥 超薄超小桥堆二极管 高度仅为1.3mm 玻璃钝化的框架结构 厂家直销，性价比高 适用于新型高效节能灯、LED照明灯具、控制电路线路、卡开11月04日
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FRED是用外延片、离子注入工艺制备的高性能快速二极管，其特点是开关速度更快、具有较小的恢复电荷 Qrr 和反向恢复电流 IRRM、参数更精确、开关损耗以及软度更优。常用来给高频逆变装置的开关..02月25日
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最大峰值脉冲功耗PM PM 是TVS 能承受的最大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS 的PM 值，请查阅有关产品手册。在给定的最大箝位电压下，功耗PM 越大，其浪涌电流的承受能力越..02月25日
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肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有..02月25日
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在SiC-MOSFET中，当向漏极施加负电压时，以源极为基准，体二极管处于正向偏置状态。绿色曲线表示Vgs=0V时的特性，即MOSFET处于关断状态，没有通道电流，因此该条件下的Vd-Id特性可以看作是体..02月25日
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SBD的主要优点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载..02月25日
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