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220.00元同兴快恢复二极管2CL1A100KV静电整流高压硅堆焦油捕捉配件鞍山同兴高压二极管、高压整流桥、高压硅堆价格优惠2CL100KV高压硅堆型号常用有2CL50mA100KV丨2CL0.1A100KV2CL0.2A/100KV丨2CL0.3mA1..01月22日
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江苏佑风微电子股份有限公司成立于2014年11月14日,注册资本1000万元人民币。于2017年12月份挂牌,代码872485。公司集研发、生产、销售于一体,致力于功率半导体封装测试等领域的产业发展08月15日
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DFR1M贴片型快恢复二极管,超薄贴片型SOD-123FL封装,GPP芯片,开关特性好,反向恢复时间短(一般有3个大档次FR:75-500nS,HER:35-75nS,SF:35nS以下)、正向电流大、体积较小、安装简便等..11月16日
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0.07元RS2MF 超薄贴片型快恢复二极管 超薄快恢复整流二极管 快恢复二极管 SMAF封装 用于贴片型安装电路板程序 小包装,体积小 玻璃钝化芯片:60mil 焊接方便 开关速度开,反向恢复时间短 低11月13日
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5800.00元内容摘要2020年快恢复二极管市场规模xx亿元,到2021年快恢复二极管市场规模达到了xx亿元,预计2028年将达到xx亿元,年复合增长率(cagr)为xx%。2020年中国快恢复二极管市场规模xx亿元,到2021..02月04日
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快恢复二极管芯片PN结构终止区用采用玻璃钝化技术,其热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配。所有的硅芯片越来越多的使用保护环平面技术和沟道阻断来降低芯片的表面电场。FRED二极管在整个工作温..02月04日
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快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使..02月04日
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选择具有优良电气特性的功率二极体,是实现高效率电力电子系统的关键因素。这里推荐使用强茂PSDD0860S1、PSDP08120S1等型号,其电压范围为600V-1200V,适合应用于各种电源系统中做为整流或续..02月04日
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反向恢复时间(tr)的定义:电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电..02月04日
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快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使..02月04日
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快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使..02月04日
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快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使..02月04日
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随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展,直插超快速恢复作为一种高频器件也得到蓬勃发展,现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内,起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用,..02月04日
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选用快恢复二极管首先考虑方案位置频率与器件恢复时间上的匹配,其次选择峰值电压多出30%以上的耐压器件型号,最终考虑方案对应位置电流的正向压降值在匹配的适当区间。快速管主要按恢复时间..02月04日
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高效、节能、节电和节材,并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源,对加速我国电力电子产品的更新换代周..02月04日
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选择具有优良电气特性的功率二极体,是实现高效率电力电子系统的关键因素。这里推荐使用强茂PSDD0860S1、PSDP08120S1等型号,其电压范围为600V-1200V,适合应用于各种电源系统中做为整流或续..02月04日
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选择具有优良电气特性的功率二极体,是实现高效率电力电子系统的关键因素。这里推荐使用强茂PSDD0860S1、PSDP08120S1等型号,其电压范围为600V-1200V,适合应用于各种电源系统中做为整流或续..02月04日
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快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使..02月04日
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快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获..02月04日
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