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STM32F103VBT6特性: 这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。 STM32F103xx中密度高性能系列包..02月16日
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主营产品:MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F030F4P6特性: STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性..02月16日
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主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32L151RCT6功能描述: 低功耗..02月16日
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STM32F105R8T6特性: 主流互连型ARM Cortex-M3微控制器,具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了高性能ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RI..02月16日
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主营产品:MCU单片、存储芯片、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 STM32F030F4P6特性: STM32F030x4/x6/x8/xC微控制器集成了高性..02月16日
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VNH5200ASTR性能特性: 汽车认证 输出电流:8安 3 V CMOS兼容输入 欠压关闭 过压箝位 热关机 交叉传导保护 电流和功率限制 非常低的待机功耗 防止土地流失和VCC流失 电流检测输出与电机电流成..02月16日
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STM32F103VBT6特性: 这些器件采用2.0至3.6 V电源供电。它们的工作温度范围为–40至+85°C和–40至+105°C扩展温度范围。一套全面的省电模式允许设计低功耗应用。 STM32F103xx中密度高性能系列包..02月16日
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主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。 ST..02月16日
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STW70N65DM6 N沟道650 V、360 mOhm典型值、68 A MDmesh DM6功率MOSFET,TO-247封装 这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代MDmesh快速产品相比,DM6..02月16日
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VNH5200ASTR性能特性: 汽车认证 输出电流:8安 3 V CMOS兼容输入 欠压关闭 过压箝位 热关机 交叉传导保护 电流和功率限制 非常低的待机功耗 防止土地流失和VCC流失 电流检测输出与电机电流成..02月16日
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