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500.00元3.5寸大屏直板军工三防核动力 待机王超长待机 手写王 18000毫安 老人手机电视老年手机 ： ： 100台起批： 价格（元）：500 带微信带电视带触摸最任性超长待机手机， 18000毫安 超 大电..03月12日
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MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值) f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB..03月05日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01质量等级：GG MGF4964BL-01偏置条件： VDS=2V，内径=10mAMGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低..03月05日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ 功率LDMOS晶体管 Ampleon BLC10G19XS-551AVZ 550w LDMOS封装的不对称Doherty功率晶体管，用于频率从1930 MHz到2000 MHz的基站应用。VDS = 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(am..03月05日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪..03月05日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ用于1930 MHz至2000 MHz频率范围内的基站和多载波应用的射频功率放大器。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq..03月05日
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MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。低噪声 主要用于无线通信系统（如无线电、移动通信、卫星通信等），其中接收机需要将微弱的无线信号放大到足..03月05日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ典型性能： 非对称Doherty演示电路在Tcase= 25°C时的典型射频性能。VDS = 30v;IDq= 370 mA(main)；VGS(amp)峰值= 0.85 V，除非另有说明。#BLC10G19XS-551AVZ；#Ampleon；#射..03月05日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz 时的高相关增益..03月05日
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0.80元BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.专为低内存效应而设计，提供数字预失真能力 6.内部匹配，便于使用BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保护 8.有关RoHS合规性 #BLC10G19XS-551AVZBLC10G19XS-551AVZ ..03月05日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 5.专为低内存效应而设计，提供数字预失真能力 6.内部匹配，便于使用BLC10G19XS-551AVZ特性： 7.集成ESD保护 8.有关RoHS合规性 #BLC10G19XS-551AVZVDS = 30v;IDq= 370..03月05日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。使用合适的增益控制和反馈技术。增益控制可..03月05日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。低噪声放大器的主要功能是将信号放大，同时尽可能地减小噪声。由于接收机需要接收远距离或弱信号，因此放大器的噪声功率对整个..03月05日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。低噪声 主要用于无线通信系统（如无线电、移动通信、卫星通信等），其中接收机需要将微弱的无线信号放大到足够的..03月05日
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BLC10G19XS-551AVZ特性： 4.更低的输出电容，提高了Doherty应用中的性能 。。。。BLC10G19XS-551AVZ典型性能： BLC10G19XS-551AVZ基站和多载波应用的射频功率放大器于频率从1930 MHz到2000 MH..03月05日
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：MGF4964BL-01： 1、设计用于K波段放大器； 2、微X型塑料封装。MGF4964BL-01质量等级：GG MGF4964BL-01偏置条件： VDS=2V，内径=10mAMGF4964BL-01包装信息 磁带和卷轴 4000 个/卷轴 通过无..03月05日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。低噪声放大器芯片（Low Noise Amp..03月05日
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MGF4964BL-01超低噪声 InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管)设计用于K波段放大器。。。MGF4964BL-01特征： f=20GHz 时的高相关增益 Gs =13.5dB(典型值。)。。。。。。MGF4964BL-01质量等级：GG MG..03月05日
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MGF4964BL-01特征： f=20GHz NFmin 时的低噪声系数。=0.65 分贝(典型值)。。。低噪声放大器芯片（Low Noise Amplifier，简称LNA）是一种用于放大微弱信号的集成电路芯片。低噪声 主要用于无线..03月05日
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